Transistores MOSFET
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Los Transistores MOSFET no requiere corriente de entrada para controlar la corriente de carga en condiciones de estado estacionario o baja frecuencia, en comparación con los transistores de unión bipolar (BJT).
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Los transistores MOSFET, son un tipo de transistor de efecto de campo (FET), fabricado comúnmente mediante la oxidación controlada del silicio. Posee una compuerta aislada, cuyo voltaje determina la conductividad del dispositivo. Esta capacidad de modificar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Características Técnicas de los Transistores MOSFET:
| Modelo | Tipo | VDS (V) | ID (A) | RDS(on) (Ω) |
| IRF630 | Canal – N | 200V | 9A | 0.40 |
| IRF820 | Canal – N | 500V | 2.5A | 3.00 |
| IRFZ44 | Canal – N | 60V | 49A | 0.024 |
| IRF9540 | Canal – P | -100V | -19A | 0.20 |
| IRF3205 | Canal – N | 55V | 110A | 0.008 |
| IRF640 | Canal – N | 200V | 18A | 0.18 |
| IRF740 | Canal – N | 400V | 10A | 0.55 |
| IRF830 | Canal – N | 500V | 4.5A | 1.50 |
| IRF840 | Canal – N | 500V | 8A | 0.85 |
| IRF530 | Canal – N | 100V | 14A | 0.16 |
Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con Transistores MOSFET.
| Valores | IRF630, IRF820, IRFZ44, IRF9540, IRF3205, IRF640, IRF740, IRF830, IRF840, IRF530 |
|---|---|
| Encapsulado | TO-220 |
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