El Transistor S8050 – J3Y tiene una disipación de potencia máxima de 0.3w, la disipación de potencia en el dispositivo de transistor determina la disipación de potencia máxima permitida del dispositivo sin ningún daño.
Características Técnicas del Transistor S8050 – J3Y:
- Tipo de transistor: NPN
- Voltaje base-colector VCBO: 40V
- Voltaje colector-emisor VCEO: 25V
- Voltaje saturado colector-emisor : VCE(sat): 0.6V
- Condicion, IC= 500mA, IB = 50mA
- Voltaje emisor-base VEBO: 5V
- Voltaje saturado colector-emisor : VBE(sat): 1.2V
- Condicion, IC= 500mA, IB = 50mA
- Corriente de colector continua IC: 500mA
- Disipacion de colector PC: 300 mW
- Ganancia de corriente DC hFE
- en VCE =1V, IC =50mA: 120 – 350
- en VCE = 1V, IC = 500mA: 50
- Frecuencia de transicion fT: 150MHz
- Condicion, VCE = 6V, IC = 20mA
Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con su Transistor S8050 – J3Y. Puede revisar su hoja de datos aquí.
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