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Transistor MMBT5401 – 2L

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El Transistor MMBT5401 – 2L en encapsulado SOT23, es ideal para amplificación y conmutación de potencia media debido a su gran estabilidad. Su transistor PNP complementario es el MMBT5551 – G1.

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El Transistor MMBT5401 – 2L de potencia NPN de conmutación rápida de alto voltaje. Se caracteriza por un alto voltaje de ruptura, alta ganancia de corriente y alta velocidad de conmutación.

Características Técnicas del Transistor MMBT5401 – 2L:

  • Tipo de transistor: PNP
  • Voltaje base-colector VCBO: -160V
  • Voltaje colector-emisor VCEO: -150V
  • Voltaje saturado colector-emisor : VCE(sat): -0.15V
    • Condicion, IC= -10mA, IB = -1mA
  • Voltaje emisor-base VEBO: -6V
  • Voltaje saturado colector-emisor : VBE(sat): -1V
    • Condicion, IC= -10mA, IB = -1mA
    • Condicion, IC= -50mA, IB = -5mA
  • Corriente de colector continua IC: –600mA
  • Disipacion total del dispositivo continuamente PC: 0.3 W
  • Ganancia de corriente DC hFE
    • en VCE = 5V, IC = 1mA: 80
    • en VCE = 5V, IC = 10mA: 100-300
    • en VCE = 5V, IC = 50mA: 50
  • Frecuencia de transicion fT: 40- 240MHz
    • Condicion, VCE = -10V, IC = -10mA, f = 1KHz

Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con su Transistor MMBT5401 – 2L. Puede revisar su hoja de datos aquí.

SKU: JOS-2L Categorías: , Etiquetas: , ,
Encapsulado

SOT-23

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