Transistor MMBT5401 – 2L

El Transistor MMBT5401 – 2L de potencia NPN de conmutación rápida de alto voltaje. Se caracteriza por un alto voltaje de ruptura, alta ganancia de corriente y alta velocidad de conmutación.

Características Técnicas del Transistor MMBT5401 – 2L:

• Tipo de transistor: PNP
• Voltaje base-colector V_CBO: -160V
• Voltaje colector-emisor V_CEO: -150V
• Voltaje saturado colector-emisor : V_CE(sat): -0.15V
  • Condicion, I_C= -10mA, I_B = -1mA
• Voltaje emisor-base V_EBO: -6V
• Voltaje saturado colector-emisor : V_BE(sat): -1V
  • Condicion, I_C= -10mA, I_B = -1mA
  • Condicion, I_C= -50mA, I_B = -5mA
• Corriente de colector continua I_C: –600mA
• Disipacion total del dispositivo continuamente P_C: 0.3 W
• Ganancia de corriente DC h_FE
  • en VCE = 5V, I_C = 1mA: 80
  • en VCE = 5V, I_C = 10mA: 100-300
  • en VCE = 5V, I_C = 50mA: 50
• Frecuencia de transicion f_T: 40- 240MHz
  • Condicion, V_CE = -10V, I_C = -10mA, f = 1KHz

Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con su Transistor MMBT5401 – 2L. Puede revisar su hoja de datos aquí.