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Componentes Varios, Transistores
Transistor MMBT5551 – G1
El Transistor MMBT5551 – G1 en encapsulado SOT23, es ideal para amplificación y conmutación de potencia media debido a su gran estabilidad. Su transistor PNP complementario es el MMBT5401.
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El Transistor MMBT5551 – G1 de potencia NPN de conmutación rápida de alto voltaje. Se caracteriza por un alto voltaje de ruptura, alta ganancia de corriente y alta velocidad de conmutación.
Características Técnicas del Transistor MMBT5551 – G1:
- Tipo de transistor: NPN
- Voltaje base-colector VCBO: 180V
- Voltaje colector-emisor VCEO: 160V
- Voltaje saturado colector-emisor : VCE(sat): 0.15V
- Condicion, IC= 10mA, IB = 1mA
- Voltaje emisor-base VEBO: 6V
- Voltaje saturado colector-emisor : VBE(sat): 1V
- Condicion, IC= 10mA, IB = 1mA
- Condicion, IC= 50mA, IB = 5mA
- Corriente de colector continua IC: 600mA
- Disipacion total del dispositivo continuamente PC: 0.3 W
- Ganancia de corriente DC hFE
- en VCE = 5V, IC = 1mA: 80
- en VCE = 5V, IC = 10mA: 100-300
- en VCE = 5V, IC = 50mA: 50
- Frecuencia de transicion fT: 100 – 300MHz
- Condicion, VCE = 10V, IC = 10mA, f = 100MHz
Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con su Transistor MMBT5551 – G1. Puede revisar su hoja de datos aquí.
| Encapsulado | SOT-23 |
|---|
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