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Transistor MMBT5551 – G1

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El Transistor MMBT5551 – G1 en encapsulado SOT23, es ideal para amplificación y conmutación de potencia media debido a su gran estabilidad. Su transistor PNP complementario es el MMBT5401.

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El Transistor MMBT5551 – G1 de potencia NPN de conmutación rápida de alto voltaje. Se caracteriza por un alto voltaje de ruptura, alta ganancia de corriente y alta velocidad de conmutación.

Características Técnicas del Transistor MMBT5551 – G1:

  • Tipo de transistor: NPN
  • Voltaje base-colector VCBO: 180V
  • Voltaje colector-emisor VCEO: 160V
  • Voltaje saturado colector-emisor : VCE(sat): 0.15V
    • Condicion, IC= 10mA, IB = 1mA
  • Voltaje emisor-base VEBO: 6V
  • Voltaje saturado colector-emisor : VBE(sat): 1V
    • Condicion, IC= 10mA, IB = 1mA
    • Condicion, IC= 50mA, IB = 5mA
  • Corriente de colector continua IC: 600mA
  • Disipacion total del dispositivo continuamente PC: 0.3 W
  • Ganancia de corriente DC hFE
    • en VCE = 5V, IC = 1mA: 80
    • en VCE = 5V, IC = 10mA: 100-300
    • en VCE = 5V, IC = 50mA: 50
  • Frecuencia de transicion fT: 100 – 300MHz
    • Condicion, VCE = 10V, IC = 10mA, f = 100MHz

Puedes revisar tarjetas y kits de desarrollo, módulos y componentes para conectarlos entre sí con su Transistor MMBT5551 – G1. Puede revisar su hoja de datos aquí.

SKU: JOS-G1 Categorías: , Etiquetas: , ,
Encapsulado

SOT-23

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